不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-248307
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106685
出願日： 1996年09月19日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】セルストリングの選択トランジスタ数を減少させる。【解決手段】セルストリングSC1を選択してビットラインに接続し、基準セルストリングRC3を選択してビットラインに接続する場合、セルストリングSC1,SC2がビットラインBL1,BL2に接続され、同時に、基準セルストリングRC3,RC4がビットラインBL3,BL4に接続される。そしてカラム選択トランジスタYT1,YT2により2本のビットラインBL1,BL2中の1本がセンスアンプ11の入力端子に選択接続され、カラム選択トランジスタYT3,YT4により2本のビットラインBL3,BL4中の1本がセンスアンプ11の入力端子に選択接続される。このようにして選択接続された2本のビットライン間の差がセンスアンプで感知される。これにより、セルストリング中の選択トランジスタ数を1ずつ減少させられる。

請求項（抜粋）：

データビットラインと基準ビットラインとの間の電圧差をセンスアンプで感知する不揮発性半導体メモリ装置において、前記センスアンプは、一方の入力端子が多数のセルストリングに接続された多数のデータビットラインから選択したデータビットラインに接続され、他方の入力端子が多数の基準セルストリングに接続された多数の基準ビットラインから選択した基準ビットラインに接続されるようになっていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-248824 出願人：日本電気株式会社

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