特許

J-GLOBAL ID：200903075782914087

半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法及び除去装置

発明者： 清水 裕司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157288
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349006
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】フォトレジスト除去装置において、高濃度かつ高液温のオゾン溶解水を用いてフォトレジストの除去を行うことを可能にする。【解決手段】オゾン溶解水製造装置14で製造された常温のオゾン溶解水をステージ12に載せられている半導体ウェーハ11上に吐出ノズル13を介して吐出する直前に、赤外線ランプ16を用いて、半導体ウェーハ11を昇温させる。

請求項（抜粋）：

オゾン溶解水を用いて半導体ウェーハ上のフォトレジストを除去する方法において、前記半導体ウェーハを昇温する第一の過程と、前記半導体ウェーハが所定の温度に達したときにオゾン溶解水を前記半導体ウェーハ上に吐出する第二の過程と、を備えることを特徴とする半導体ウェーハ上のフォトレジスト除去方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/30 572 B ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306 D

Fターム (11件)：

2H096AA25 ,  2H096LA03 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043CC16 ,  5F043DD07 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10 ,  5F046MA02 ,  5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 酸化処理方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-127106   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-128715
  
• 特開平3-166724
  
• 特開平4-111308
  
• 特開平3-035517