特許

J-GLOBAL ID：200903075790570028

集積回路に形成される、交差結合されたインダクター

発明者： アルヴィン・レン・サン・ローク ,  フィリップ・ダブリュー・フィッシャー ,  ロバート・ジェイ・マーティン
出願人/特許権者： アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227673
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059915
出願日： 2006年08月24日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【課題】インダクター間に強い相互結合を有し、IC基板に生成される渦電流に起因したエネルギー損失が低く、占有面積の小さい、交差結合されたらせん状インダクターを提供する。【解決手段】ICに形成される交差結合された第1及び第2のらせん状インダクターは、第1の部分(42C)と第2の部分(42D)を有する第1のらせん状導体、及び第1の部分(52C)と第2の部分(52D)を有する第2のらせん状導体からなる。第2のらせん状導体は、第1のらせん状導体に非常に接近している。第1のらせん状インダクターは、第1のらせん状導体の第1の部分(42C)、及び第2のらせん状導体の第2の部分(52D)により形成される。第2のらせん状インダクターは、第1のらせん状導体の第2の部分(42D)、及び第2のらせん状導体の第1の部分(52C)により形成される。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

集積回路(IC)に形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクターであって、 第1の部分(42C、122A)と第2の部分(42D、122B)を有する第1のらせん状導体と、 前記第1のらせん状導体に非常に接近しており、第1の部分(52C、132A)と第2の部分(52D、132B)を有する第2のらせん状導体とからなり、 前記第1のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第1の部分(42C、122A)、及び前記第2のらせん状導体の前記第2の部分(52D、132B)より形成され、前記第2のらせん状インダクターが、前記第1のらせん状導体の前記第2の部分(42D、122B)、及び前記第2のらせん状導体の前記第1の部分(52C、132A)より形成される、交差結合された第1及び第2のらせん状インダクター。

IPC (2件)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (1件)：

H01L27/04 L

Fターム (5件)：

5F038AZ04 ,  5F038BH03 ,  5F038BH19 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜コイル、コイル駆動回路、および磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-272190   出願人：富士通株式会社