特許
J-GLOBAL ID:200903075805177077
炭素材料薄膜の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
吉田 俊夫
, 吉田 和子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-081871
公開番号(公開出願番号):特開2007-258030
出願日: 2006年03月24日
公開日(公表日): 2007年10月04日
要約:
【課題】カーボンナノチューブの酸化処理などを必要とはせず、カーボンナノチューブが本来有する良好な導電性を維持しつつ、また従来必要とされていた結着剤を含まないため内部抵抗が低く、二次電池の電極等として有効に使用し得る炭素材料薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素溶媒中に超音波ホモジナイザを用いて分散させ、この溶媒中で導電性金属よりなる被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成せしめた後、不活性ガス雰囲気中で焼成して分散剤を除去することにより炭素材料薄膜を製造する。
請求項(抜粋):
炭素材料を、塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素溶媒中に超音波ホモジナイザを用いて分散させ、この溶媒中で導電性金属よりなる被被覆材を陽極として電圧を印加し、陽極材表面上に炭素材料薄膜を形成せしめた後、不活性ガス雰囲気中で焼成して分散剤を除去することを特徴とする炭素材料薄膜の製造方法。
IPC (5件):
H01M 4/04
, H01M 4/02
, H01M 4/58
, C01B 31/02
, C01B 31/04
FI (5件):
H01M4/04 A
, H01M4/02 B
, H01M4/58
, C01B31/02 101F
, C01B31/04 101Z
Fターム (20件):
4G146AA02
, 4G146AA11
, 4G146AB07
, 4G146AD23
, 4G146CB11
, 4G146CB17
, 4G146CB35
, 5H050AA12
, 5H050BA17
, 5H050CA15
, 5H050CA16
, 5H050CB08
, 5H050CB09
, 5H050EA08
, 5H050EA09
, 5H050GA02
, 5H050GA11
, 5H050GA18
, 5H050GA27
, 5H050HA05
引用特許: