特許

J-GLOBAL ID：200903075823998355

バイナリパタ-ン及び位相シフトパタ-ンを備えたデュアルフォトマスク

発明者： 林 金隆 ,  辜 耀進
出願人/特許権者： ユナイテッド マイクロエレクトロニクス コープ
代理人 (1件)： 龍華 明裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-008282
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206672
出願日： 1999年01月14日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】集積回路製造でのフォトリソグラフィーにおいて使用され、マスクリツーリングなしに半導体ウエハ上に2重露光操作を行なうことができる、デュアルフォトマスクを提供すること。【解決手段】デュアルフォトマスクは、レティクルガラス板上に位相シフトマスク(PSM)クロム領域及びバイナリ(BIN)クロム領域が隣接して配置されたレティクルガラス板を備える。使用においては、デュアルフォトマスクは、一つ目の位置では、BINクロム領域からのパターンがウエハに転写されるのを可能にし、他の位置では、PSMクロム領域からのパターンが転写されるのを可能にする、2つのあらかじめ定められた位置の間でシフトされる。露光スキャナーが、デュアルフォトマスクを通してウエハを露光するために使用される。デュアルフォトマスクは、従来の技術の場合のような2つのマスクを使用することによるパターン転写の位置ずれの欠点をなくすことができ、更に、歩留りが向上し、ウエハ製造のコストを減少することを可能にする。

請求項（抜粋）：

レティクルガラス板と、前記レティクルガラス板上に形成されたPSMクロム領域と、前記レティクルガラス板上に形成され、かつ前記PSMクロム領域に隣接して配置されたBINクロム領域とを備えたことを特徴とするデュアルフォトマスク。

IPC (3件)：

G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 E ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 514 A ,  H01L 21/30 528

Fターム (12件)：

2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC19 ,  2H095BE03 ,  2H095BE08 ,  5F046AA12 ,  5F046AA25 ,  5F046BA04 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17 ,  5F046EB02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 露光方法およびそれに用いるフォトマスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-071768   出願人：株式会社日立製作所
• 露光方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-272566   出願人：株式会社ニコン