特許
J-GLOBAL ID:200903075824950445
カーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージ
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-292843
公開番号(公開出願番号):特開2006-108377
出願日: 2004年10月05日
公開日(公表日): 2006年04月20日
要約:
【課題】 カーボンナノチューブ束の密度を向上し、電気抵抗や熱抵抗の低減を図るカーボンナノチューブ構造体、半導体装置、および半導体パッケージを提供する。【解決手段】 第1配線層21、層間絶縁膜22、第2配線層23が順次積層され、層間絶縁膜22を貫通するビアホール24に、第1配線層21と第2配線層23を電気的に接続するカーボンナノチューブ束25が形成されてなるビア26から構成する。カーボンナノチューブ束25は、第1配線層21の凹部28の側面および底面に形成された触媒層29から成長させ、側面から成長したカーボンナノチューブ25aによりカーボンナノチューブ束25の密度を向上する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
第1の導電体と、
前記第1の導電体を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に配設された第2の導電体と、
前記絶縁膜を貫通し第1の導電体の表面を露出する開口部に充填され、第1の導電体と第2の導電体とを電気的に接続するカーボンナノチューブとを備え、
前記カーボンナノチューブの一端は、前記第1の導電体の表面に設けられた凹部に固着されてなる半導体装置。
IPC (7件):
H01L 23/522
, H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 29/417
, H01L 29/78
, H01L 23/373
FI (8件):
H01L21/90 B
, H01L21/28 L
, H01L21/28 301Z
, H01L21/285 C
, H01L21/90 D
, H01L29/50 M
, H01L29/78 301X
, H01L23/36 M
Fターム (91件):
4M104AA01
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104DD16
, 4M104DD19
, 4M104DD20
, 4M104DD45
, 4M104FF06
, 4M104FF21
, 4M104FF27
, 4M104GG09
, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH33
, 5F033JJ36
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK15
, 5F033KK18
, 5F033KK19
, 5F033KK21
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN07
, 5F033NN13
, 5F033PP03
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ08
, 5F033QQ10
, 5F033QQ13
, 5F033QQ14
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033RR15
, 5F033RR21
, 5F033RR25
, 5F033SS04
, 5F033SS08
, 5F033SS11
, 5F033XX03
, 5F033XX09
, 5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB21
, 5F036BC33
, 5F140AA01
, 5F140AA39
, 5F140BA01
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BF59
, 5F140BF60
, 5F140BG08
, 5F140BH07
, 5F140BH08
, 5F140BJ08
, 5F140BJ11
, 5F140BJ13
, 5F140BJ15
, 5F140BJ17
, 5F140BJ18
, 5F140BJ20
, 5F140BJ26
, 5F140BJ27
, 5F140BJ28
, 5F140BK25
, 5F140BK26
, 5F140BK29
, 5F140BK30
, 5F140BK34
, 5F140BK39
, 5F140CA02
, 5F140CA03
, 5F140CB04
, 5F140CC01
, 5F140CC03
, 5F140CC08
, 5F140CF05
引用特許:
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