特許

J-GLOBAL ID：200903075850748689

半導体装置

発明者： 吉田 直人 ,  國井 徹郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253488
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097669
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】 高い電子濃度を実現し、かつソース及びドレイン抵抗の上昇を抑制して、高性能で高出力化が実現できる半導体装置を得る。【解決手段】 半絶縁性基板1上に形成された比較的高い不純物濃度のAlxGa1-xAsからなる第1の電子供給層3、この第1の電子供給層3上に形成されたアンドープInGaAsチャネル層4、このチャネル層上に形成された比較的高い不純物濃度のAlyGa1-yAsからなる第2の電子供給層5、この第2の電子供給層上に形成されたアンドープAlzGa1-zAsショットキー接合形成層6、このショットキー接合形成層6上に形成されたゲート電極11、このゲート電極11を挟んで上記ショットキー接合形成層6上に形成されたソース及びドレイン電極9、10を備え、上記第2の電子供給層及びショットキー接合形成層のAl組成比y、zは、第1の電子供給層のAl組成比xよりも低いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に形成された比較的高い不純物濃度のAlxGa1-xAsからなる第1の電子供給層と、この第1の電子供給層上に形成されたアンドープ又は比較的低い不純物濃度のInGaAsからなるチャネル層と、このチャネル層上に形成された比較的高い不純物濃度のAlyGa1-yAsからなる第2の電子供給層と、この第2の電子供給層上に形成されたアンドープ又は比較的低い不純物濃度のAlzGa1-zAsからなるショットキー接合形成層と、このショットキー接合形成層上に形成されたゲート電極と、このゲート電極を挟んで上記ショットキー接合形成層上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを備え、上記ショットキー接合形成層のAl組成比zは、第1の電子供給層のAl組成比xよりも低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-123421   出願人：日本電気株式会社
• 特開平1-128473
  
• 特開平4-363029