半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-074951
公開番号（公開出願番号）：特開2004-072068
出願日： 2003年03月19日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】並列pn層を有し、耐圧とオン抵抗とのトレードオフ関係を大幅に改善する超接合半導体素子において、アバランシェ耐量の向上を図る。【解決手段】並列pn構造のn型ドリフト領域1とp型仕切り領域2との、領域幅或いは不純物濃度を制御して、表面側におけるp型仕切り領域2の不純物量を隣接するn型ドリフト領域1の不純物量より多くし、裏面側におけるp型仕切り領域2の不純物量を隣接するn型ドリフト領域1の不純物量より少なくする。これにより、並列pn構造部での電界分布が改善されて、アバランシェ降伏時の動作抵抗が正性抵抗となり、アバランシェ破壊耐量を向上させることが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1と第2の主面と、第1と第2の主面にそれぞれ設けられた主電極と、第1と第2の主面間に第1導電型低抵抗層と、第1導電型領域と第2導電型領域とを交互に配置した並列pn層とを備える半導体素子において、第1主面側における前記第2導電型領域の不純物濃度が隣接する第1導電型領域の不純物濃度より高く、第2主面側における前記第2導電型領域の不純物濃度が隣接する第1導電型領域の不純物濃度より低いことを特徴とする半導体素子。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (2件)：

H01L29/78 652H , H01L29/78 655B

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-132252 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (1件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-132252 出願人：富士電機株式会社

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