特許
J-GLOBAL ID:200903075902553830
ドライエッチング方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-231268
公開番号(公開出願番号):特開平7-086249
出願日: 1993年09月17日
公開日(公表日): 1995年03月31日
要約:
【要約】【目的】アルミニウム系膜を含む膜構造のエッチング処理において、微細加工性及び高選択性をあわせもったエッチング処理を行う。【構成】アルミニウム系膜を含む膜構造のウエハをハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガスのプラズマによりエッチング処理する。また、高周波電力の印加によりバイアス電圧を生じさせウエハへのプラズマ中のイオンの入射エネルギーを制御可能な試料台に前記膜構造のウエハを配置し、前記混合ガスをマイクロ波電界と磁界との作用を用いて減圧下でプラズマ化し、該プラズマによってエッチング処理する。
請求項(抜粋):
アルミニウムを含む膜のウエハをハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガスのプラズマによってエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/302 G
, H01L 21/302 F
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開平3-218013
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特開昭64-030227
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特開平3-044030
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特開平3-278433
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特開昭63-288021
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-250056
出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
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