特許

J-GLOBAL ID：200903075933076062

量子井戸構造を有する化合物半導体層の成長方法及び化合物半導体薄膜積層構造の形成方法

発明者： 石川 秀人 ,  ヤン・ルベレゴ ,  奥洞 明彦
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-023701
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094430
出願日： 1994年01月26日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】量子井戸構造を有する化合物半導体層の結晶成長において限りなく急峻で平坦な界面を得ることができる化合物半導体成長方法を提供する。【構成】本発明の化合物半導体層の成長方法は、井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を、有機金属気相成長法(MOCVD法)による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

井戸層と障壁層から成る量子井戸構造を有する化合物半導体層を有機金属気相成長法(MOCVD法)による化合物半導体のエピタキシャル成長によって基板上に成長させる方法であって、井戸層をエピタキシャル成長させた後、障壁層を形成するための原料の一部の供給を中断して、一定期間の間、障壁層のエピタキシャル成長を停止させることを特徴とする化合物半導体層の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-032766   出願人：京セラ株式会社
• 特開平3-070124
  
• 特開平4-369830