特許

J-GLOBAL ID：200903075939783453

エピタキシャル成長装置

発明者： 飯島 照康
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-021859
公開番号（公開出願番号）：特開平7-206586
出願日： 1994年01月24日
公開日（公表日）： 1995年08月08日
要約：

【要約】【目的】 エピタキシャル成長装置において、ガスラインのメインテナンス終了後、低コストでの再稼動を可能とし、かつ再稼動後も高品質のエピタキシャルウェーハを得ることができるようにする。【構成】 反応チャンバ3を介さずに、ガス供給ライン1とガス排出ライン4とを直結するガスバイパスライン5を設け、このガスバイパスライン上にバルブ31,32を配設する。たとえばプロセスガスラインのメインテナンスの場合、プロセスガスの排出およびメインテナンス後の不純物排出に当たり、プロセスガスラインから前記ガスバイパスライン5を経由してガス排出ライン4にパージガスを流す。反応チャンバ3内へのガス流を遮断することによりパージガス使用量が少なくて済み、コストの低減と不純物排出時間の短縮ができる。また、反応チャンバ3および他のガスライン内に不純物が残留しないため、再稼働後も高品質のエピタキシャルウェーハを得ることができる。

請求項（抜粋）：

ガス供給ライン、反応チャンバ、ガス排出ラインを順次接続してなるエピタキシャル成長装置のガスラインにおいて、前記反応チャンバを介さずに、反応チャンバの直前および直後でガス供給ラインとガス排出ラインとを直結するガスバイパスラインを備え、このガスバイパスラインに少なくとも1個のバルブを設けたことを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-027637
  
• 化学気相成長方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-196926   出願人：富士通株式会社