特許

J-GLOBAL ID：200903075946672950

パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法

発明者： 神保 秀之 ,  齋藤 太郎 ,  宅島 克宏
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-037616
公開番号（公開出願番号）：特開平6-250379
出願日： 1993年02月26日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 一度形成したパターン15aを汎用性良く太らせて所望のパターンを得ることができるパターン形成方法を提供すること。【構成】 シリコン基板11上に酸発生剤13を含んだi線用ポジ型レジストの層15を形成する。この層15のラインアンドスペースパタン15aを得る。試料に紫外線照射及び加熱を行いパターン15a中に酸13aを発生させる。この試料上に、酸の作用により架橋する化学増幅型のレジストの層17を形成する。この試料を100°Cの温度で1分間熱処理し、パターン15a中の酸13aをレジスト層17中に熱処理条件に応じた距離拡散させる。レジスト層17の、酸13aが及んだ部分は架橋するのでこの部分は現像液に不溶性を示す変性層に変換される。レジスト層17を現像液で除去する。パターン15aと変性層とから成る所望のパターンが得られる。

請求項（抜粋）：

下地上に所望のパターンを形成するに当たり、前記下地上に、前記所望のパターンに対し所定関係の形状の第1のパターンであってこの上に後に形成される第2のパターン形成材の層の一部を該第2のパターン形成材の溶解液に不溶とする一方の因子を含む第1のパターンを、形成する工程と、該第1のパターンの形成が済んだ前記下地上に、該第1のパターンを覆うように第2のパターン形成材の層であって該層を前記溶解液に不溶とする他方の因子を含む第2のパターン形成材の層を、形成する工程と、少なくとも該第2のパターン形成材の層の、前記第1のパターンとの界面から所定厚さ部分までを、前記一方の因子及び他方の因子の作用により、前記第2のパターン形成材の溶解液に対し不溶性を示す変性層に変換する工程と、該変性層が形成された第2のパターン形成材の層の変性層以外の部分を前記溶解液により溶解して、所望のパターンとしての、前記第1のパターン及び前記変性層から成るパターンを得る工程とを含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042826   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭57-104424