特許

J-GLOBAL ID：200903075952625557

化合物薄膜及びその形成法

発明者： 木内 正人 ,  阿川 義昭 ,  高木 憲一
出願人/特許権者： 工業技術院長 ,  日本真空技術株式会社
代理人 (2件)： 工業技術院大阪工業技術研究所長 (外4名) ,  八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-103312
公開番号（公開出願番号）：特開平8-296046
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 化合物薄膜を構成する原子を十分に反応させつつ、所望の化合物薄膜を形成すること。【構成】 形成すべき化合物薄膜を構成する元素を含む気体状の分子または気化させた分子を、イオン化またはラジカル化によって励起し、基体上に供給し、各分子内に含まれる一部または全部の原子を反応させることから成る。

請求項（抜粋）：

基体上で、形成すべき化合物薄膜を構成する元素を含む気体状の分子または気化させた分子の励起分子の各々内に含まれる一部または全部の原子を反応させることによって形成したことを特徴とする化合物薄膜。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C23C 14/32 B ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-014927
  
• 特開昭60-195941
  
• 特開平3-080531