特許
J-GLOBAL ID：200903075965930146

積層セラミックコンデンサ及びその製法

発明者：
長谷 和人

長谷 和人 について

, 
神垣 耕世

神垣 耕世 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-262470
公開番号（公開出願番号）：特開2003-077754
出願日： 2001年08月30日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：
【要約】【課題】静電容量が大きく、かつ、高電圧が印加されても静電容量の低下率が小さい積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層7と卑金属からなる内部電極5とを交互に積層してなる積層セラミックコンデンサであって、誘電体層7が、Mg、Mn及び希土類元素が固溶した平均粒径0.2〜0.35μmのチタン酸バリウム粒子からなり、希土類元素が、チタン酸バリウム粒子の粒子表面から10nm以下の厚さの領域に存在し、かつ粒子表面から5nmの深さにおける希土類元素の濃度が、全金属元素に対して6原子%以下である。
請求項（抜粋）：
誘電体層と卑金属からなる内部電極とを交互に積層してなる積層セラミックコンデンサであって、前記誘電体層が、Mg、Mn及び希土類元素が固溶した平均粒径0.2〜0.35μmのチタン酸バリウム粒子からなり、前記希土類元素の存在領域が、前記チタン酸バリウム粒子の粒子表面から10nm以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364
FI (3件)：
H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 361 ,  H01G 4/12 364
Fターム (10件)：
5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE00 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH05 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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