特許

J-GLOBAL ID：200903075967523360

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造に用いられる薬液

発明者： 魚 住 宜 弘 ,  高 瀬 和 彦 ,  松 村 剛
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-275174
公開番号（公開出願番号）：特開2007-134690
出願日： 2006年10月06日
公開日（公表日）： 2007年05月31日
要約：

【課題】エッチングによりダメージを受けた絶縁膜の側壁の過剰なエッチングを抑制し、並びに、その側壁からの吸湿を抑制することができる半導体装置の製造方法およびその方法に使用される薬液を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、下地材料20上に絶縁膜30を設け、絶縁膜上にマスク材料40を設け、マスク材料を利用して絶縁膜をエッチングし、絶縁膜のエッチングによって生成した金属残渣を除去する第1の処理と、エッチングによって形成された絶縁膜の側壁を疎水化する第2の処理と、絶縁膜のエッチングによって生成したシリコン残渣を除去する第3の処理と、を具備する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

下地材料上に絶縁膜を設け、 前記絶縁膜上にマスク材料を設け、 前記マスク材料を利用して前記絶縁膜をエッチングし、 前記絶縁膜のエッチングによって生成した金属残渣を除去する第1の処理と、 エッチングによって形成された前記絶縁膜の側壁を疎水化する第2の処理と、 前記絶縁膜のエッチングによって生成したシリコン残渣を除去する第3の処理と、 を具備する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 647A ,  H01L21/90 A

Fターム (26件)：

5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR01 ,  5F033RR25 ,  5F033TT04 ,  5F033XX00 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 配線形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-292341   出願人：沖電気工業株式会社
• 国際公開第2005/034194A2号パンフレット