特許

J-GLOBAL ID：200903075972605269

高耐圧半導体チップの評価方法、高耐圧電子機器基板およびその製造方法、および高耐圧半導体装置

発明者： 松田 秀雄 ,  家坂 進 ,  植竹 義成 ,  坂本 隆夫 ,  井上 直之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228711
公開番号（公開出願番号）：特開2001-051011
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 製造コストを削減できる高耐圧半導体チップの評価方法を提供すること。【解決手段】 シリコーンラバー8を、ベア状態の高耐圧半導体チップ6の終端部分9に押し当て、シリコーンラバー8が押し当てられた状態で、高電圧を、高耐圧半導体チップ6に印加し、シリコーンラバー8が押し当てられ、かつ高電圧が印加された状態で、高耐圧半導体チップ6の特性を評価する。

請求項（抜粋）：

弾力性を有した絶縁物を、ベア状態の高耐圧半導体チップの終端部分に押し当てる工程と、前記弾力性を有した絶縁物が押し当てられた状態で、高電圧を、前記高耐圧半導体チップに印加する工程と、前記弾力性を有した絶縁物が押し当てられ、かつ前記高電圧が印加された状態で、前記高耐圧半導体チップの特性を評価する工程とを具備することを特徴とする高耐圧半導体チップの評価方法。

IPC (2件)：

G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/26 H ,  G01R 31/26 J ,  H01L 21/66 H ,  H01L 21/66 D

Fターム (11件)：

2G003AA00 ,  2G003AE09 ,  2G003AF06 ,  2G003AG03 ,  2G003AG12 ,  2G003AH05 ,  4M106AA02 ,  4M106BA01 ,  4M106BA14 ,  4M106DD01 ,  4M106DJ01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 樹脂モールド半導体装置の絶縁耐圧測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-007162   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭49-105480
  
• パワーチップキャリア及びこれを用いたパワー半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067333   出願人：株式会社日立製作所