特許
J-GLOBAL ID:200903075973949816

厚膜サーミスタ組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 菅野 中
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-300119
公開番号(公開出願番号):特開平11-135303
出願日: 1997年10月31日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 サーミスタ膜形成後の抵抗値が小さく、高B定数であり、熱による抵抗変化率を安定させる。【解決手段】 サーミスタ特性を有する金属酸化物に、第1導電物質であるRuO2と、第2導電性物質としてのAg/Pd粉末とガラス粉末とを加え、ビヒクルを添加してペースト状とし、これを基板1の第1と第2の電極2、3間に塗布して厚膜サーミスタ層4を形成し、焼成して完成する。
請求項(抜粋):
金属酸化物と、第1導電性物質と、第2導電性物質と、ガラス粉末とを含む厚膜サーミスタ組成物であって、金属酸化物は、Mn,Co,Ni,Fe,Zn、Cuなどのうちから選ばれた少なくとも2種類の元素を含んだサーミスタ特性を有する複合酸化物であり、第1導電性物質は、RuO2であり、第2導電性物質は、Ag/Pd粉末であることを特徴とする厚膜サーミスタ組成物。
引用特許:
審査官引用 (4件)
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