特許
J-GLOBAL ID:200903076030164301
高融点金属シリサイドの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-169532
公開番号(公開出願番号):特開平6-016412
出願日: 1992年06月26日
公開日(公表日): 1994年01月25日
要約:
【要約】【目的】 高融点金属シリサイドの粒径を微細化する。【構成】 平均粒径が5μm以下の高融点金属と、平均粒径が100μm以下のSi粉末を混合して焼成し、粉砕する高融点金属シリサイドの製造方法であって、Si粉末の添加混合と焼成,粉砕を複数回繰り返す。【効果】 焼成に長時間を要することなく、得られる高融点金属シリサイドの粒子を微細化できる。従って、この高融点金属シリサイドを使用してターゲットを製造すれば、遊離Siの凝集を抑制し、パーティクルの生成を防止できる。
請求項(抜粋):
平均粒径が5μm以下の高融点金属と、平均粒径が100μm以下のSi粉末を混合して焼成し、粉砕する高融点金属シリサイドの製造方法であって、Si粉末の添加混合と焼成,粉砕を複数回繰り返すことを特徴とする高融点金属シリサイドの製造方法。
IPC (6件):
C01B 33/06
, B22F 3/16
, B22F 9/04
, C22C 1/05
, C22C 27/00
, C23C 14/34
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平2-166276
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特開平2-047261
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特開平4-028864
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