特許
J-GLOBAL ID：200903076034604578

半導体装置およびその製造方法

発明者：
松本 健

松本 健 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-168497
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357668
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 コスト的にメリットがあり、接合信頼性が向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に金属材料膜および反射防止膜13を順次積層した電極または配線と、これら電極または配線と同一構造を有する電極パッド7’が形成され、電極パッド7’の表面の周辺部は絶縁膜8で被覆されると共に、少なくともその表面上にはバリヤメタル層14が形成されており、さらにバリヤメタル層14上には金バンプ12が設けられている構成にしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、金属材料膜および反射防止膜を順次積層した電極または配線と、これら電極または配線と同一構造を有する電極パッドが形成され、前記電極パッド表面の周辺部は絶縁膜で被覆されると共に、少なくともその表面上にはバリヤメタルが形成されており、さらに前記バリヤメタル上にはバンプが設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/60
FI (4件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 D
Fターム (25件)：
4M104BB02 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104FF17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR15 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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