特許
J-GLOBAL ID：200903076036582849
メッキ引込線なしにメッキされたパッケージ基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-183901
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193549
出願日： 2003年06月27日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】BGA、CSPなどのパッケージ基板においてソルダボールパッドなどの形成のための電解金メッキ工程を引込線なしに行う。【解決手段】上・下面に銅箔が形成され、銅メッキされたビアホール24を有するベース基板の前記上・下面に第1ドライフィルム25を積層し、露光、現像して所定部分を露出させる段階;前記銅箔をエッチングにより除去して上下面にそれぞれ回路を形成する段階;前記第1ドライフィルムを剥離し、全部位に無電解メッキする段階;第2ドライフィルム28を積層し、露光および現像して上・下面の金メッキされる部分を露出させる段階;該露出部分の無電界メッキをエッチングにより除去する段階;上・下面部分を金メッキする段階;前記第2ドライフィルムを剥離し、露出する無電解メッキ膜部分をエッチングにより除去して前記ベース基板の回路を露出させる段階;および、ソルダレジスト31を、所定部分を露出させる状態に塗布する段階;を含む。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
(1)銅メッキされたビアホールが形成されており、上・下面に銅箔が形成されているベース基板の前記上・下面に第1ドライフィルムを積層し、これを露光および現像して前記ベース基板の所定の上下面部分を露出させる段階;
(2)前記第1ドライフィルムが積層された部分以外の部分の前記銅箔をエッチングにより除去して前記ベース基板の上面および下面にそれぞれ回路を形成する段階;
(3)前記第1ドライフィルムを剥離し、前記ベース基板上の全部位にメッキ膜を無電解メッキする段階;
(4)第2ドライフィルムを積層し、露光および現像して前記ベース基板のメッキされた上・下面の金メッキされる部分を露出させる段階;
(5)前記金メッキされる部分に形成されている前記無電解メッキされたメッキ膜部分をエッチングにより除去する段階;
(6)前記金メッキされるベース基板の上・下面部分を金メッキする段階;
(7)前記第2ドライフィルムを剥離し、残存する無電解メッキされたメッキ膜部分をエッチングにより除去して前記ベース基板の上部および下部回路を露出させる段階;および
(8)ソルダレジストを、前記ベース基板の露出された上部および下部回路上に、それらの回路の所定部分を露出させる状態に塗布する段階;
を含めてなる、メッキ引込線なしにメッキされるパッケージ基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/12 501W
, C25D7/00 J
4K024AA09
, 4K024AA11
, 4K024AA14
, 4K024AB02
, 4K024AB17
, 4K024BB11
, 4K024BC02
, 4K024DB10
, 4K024FA07
, 4K024FA08
, 4K024GA16
