特許
J-GLOBAL ID：200903076036758203
フォトレジストを用いるホールパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080519
公開番号（公開出願番号）：特開平10-274854
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：
【要約】【課題】 基板上に形成されたフォトレジスト膜に露光・現像によりホールパターンを形成するに際し、孔径の小さなホールパターンを容易に形成する方法を提供する。【解決方法】 露光・現像により目的とするホール径よりも大径のホールパターンを形成し、次いでフォトレジスト膜の軟化開始温度よりも10°C以上高い温度に加熱してホール径を目的とする径まで縮小させる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたフォトレジスト膜にホールパターンを形成する方法において、露光及び現像により目的とするホール径よりも大孔径のホールパターンを形成し、次いでフォトレジスト膜の軟化開始温度よりも10°C以上高い温度に加熱して、フォトレジスト膜の熱変形により孔径を目的とするホール径に縮小させることを特徴とするホールパターンの形成方法。
IPC (5件)：
G03F 7/40 511
, G03F 7/40
, G03F 7/039
, H01L 21/027
, H01L 21/768
G03F 7/40 511
, G03F 7/40
, G03F 7/039
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 571
, H01L 21/90 A
