特許

J-GLOBAL ID：200903076043625731

半導体プレートと支持プレートとの間の接着結合を形成するための方法および装置

発明者： トーマス ヒューベル ,  フーベルト ダナー ,  アルミン マウラー ,  クラウス レットガー
出願人/特許権者： ワッカー ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236044
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151929
出願日： 2002年08月13日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ポリッシングされた半導体プレート5の僅かなミクロ的なうねりをなくすことができるような手段を提供する。【解決手段】 半導体プレート5と支持プレート7との間の接着結合を形成するための方法であって、半導体プレート5を、支持プレート7の上方に間隔をおいて保持し、膨張可能な圧力室9の弾性的な壁4により凸状に変形させ、接着物質を封じ込めながら支持プレート7上に配置し、摩擦接続的に支持プレート7に結合させる形式のものにおいて、半導体プレート5を縁部領域で吸着し、支持プレート7の上方に保持し、半導体プレート5の吸着を終了させ、半導体プレート5を凸状に変形させ、支持プレート7上に落とし、半導体プレート5を中央面でだけ圧力室9の弾性的な壁によって支持プレート7に押し付ける。

請求項（抜粋）：

半導体プレートと支持プレートとの間の接着結合を形成するための方法であって、半導体プレートを、支持プレートの上方に間隔をおいて保持し、膨張可能な圧力室の弾性的な壁により凸状に変形させ、接着物質を封じ込めながら支持プレート上に配置し、摩擦接続的に支持プレートに結合させる形式のものにおいて、半導体プレートを縁部領域で吸着し、支持プレートの上方に保持し、半導体プレートの吸着を終了させ、半導体プレートを凸状に変形させ、支持プレート上に落とし、半導体プレートを中央面でだけ圧力室の弾性的な壁によって支持プレートに押し付けることを特徴とする、半導体プレートと支持プレートとの間の接着結合を形成するための方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/04

FI (4件)：

H01L 21/304 622 H ,  H01L 21/304 622 G ,  H01L 21/304 622 J ,  B24B 37/04 J

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058AA12 ,  3C058AA14 ,  3C058AB04 ,  3C058CB02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ウェーハの接着方法及び接着装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-050916   出願人：不二越機械工業株式会社
• ウェーハ研磨方法及びウェーハ研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-374053   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社