特許

J-GLOBAL ID：200903076049374749

窒素-3属元素化合物半導体発光素子及び製造方法

発明者： 真部 勝英 ,  小出 典克 ,  山田 正巳 ,  加藤 久喜 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316596
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151962
出願日： 1992年10月29日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】青色の発光強度を向上させること及びGaN の結晶性の向上。【構成】サファイア基板1と、窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、温度400°C〜800°Cにおいて、非晶質の(AlXGa1-XN;X≠0)を厚さ100Å〜500Åに形成されたバッファ層2を有し、バッファ層上に発光部の各層3,4,5,50を形成した。バッファ層2の存在によりその上に形成されるGaN の結晶性が向上した。その結果、発光輝度が向上した。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、窒素-3属元素化合物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0を含む) から成る複数の層で構成された発光部とを有する発光素子において、前記サファイア基板上に、温度400°C〜800°Cにおいて、非晶質のAlXGa1-XN;X≠0が厚さ100Å〜500Åに形成されたバッファ層を有し、前記バッファ層上に前記発光部の各層を形成したことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 青色発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114541   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開平4-242985