特許

J-GLOBAL ID：200903076051369868

オルガノポリシロキサンおよびその製造方法

発明者： クリスティアン ヘルツィヒ ,  ハンス ラウテンシュラーガー
出願人/特許権者： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-527428
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506003
出願日： 2006年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

本発明は、1分子当たり、式(I)O3-a/2RaSi-Y(SiRaO3-a/2)b[式中、Rは同一かまたは異なっていてもよく、かつ、有機の一価のSiC結合基を示し、この場合、この基は、1〜30個の炭素原子を含み、かつ、1個または複数個のO原子を含有していてもよく、aは0または1であり、かつbは1〜11の範囲の整数である]の少なくとも1種の構造単位を含有するオルガノポリシロキサン化合物に関する。

請求項（抜粋）：

1分子当たり一般式

IPC (2件)：

C07F 7/18 ,  C08G 77/50

FI (2件)：

C07F7/18 X ,  C08G77/50

Fターム (46件)：

4H049VN01 ,  4H049VP02 ,  4H049VP03 ,  4H049VP04 ,  4H049VP05 ,  4H049VP06 ,  4H049VP07 ,  4H049VP08 ,  4H049VP09 ,  4H049VP10 ,  4H049VQ78 ,  4H049VQ79 ,  4H049VR21 ,  4H049VR43 ,  4H049VS78 ,  4H049VS79 ,  4H049VW02 ,  4J246AA11 ,  4J246AB01 ,  4J246AB14 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246BB04X ,  4J246BB040 ,  4J246BB041 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA250 ,  4J246CA260 ,  4J246CA270 ,  4J246CA330 ,  4J246CA34X ,  4J246CA340 ,  4J246CA350 ,  4J246CA390 ,  4J246CA400 ,  4J246CA560 ,  4J246CA760 ,  4J246CA770 ,  4J246FA071 ,  4J246FA151 ,  4J246FA421 ,  4J246GA04 ,  4J246GB02 ,  4J246HA32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-226242   出願人：富士通株式会社
• ポリシロキサンを用いるリチウムイオン電池用の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-153426   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション