特許
J-GLOBAL ID：200903076053518194
半導体結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256587
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091278
出願日： 2002年09月02日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】下地基板から独立した高品質な半導体結晶(単結晶)を得る。【解決手段】結晶分離工程で用いる光は、例えばQスイッチドNd:YAGレーザ装置からの出力光等が有用で、照射条件は、例えば、発光波長:355nm、照射強度:400〜600mJ/cm2 、下地基板の温度:1150°C〜600°Cで行う。この様なレーザ光は、下地基板との界面近傍において、深さ方向に局所的に浅く数μm程度の薄さで半導体結晶を液化或いは気化させるエネルギーとして作用するため、 III族窒化物系化合物半導体等から形成される所望の半導体結晶の成長温度近辺において、下地基板と半導体結晶とを良好に剥離させることができる。これにより、熱膨張係数差と降温効果に基づいて所望の半導体結晶に作用する応力の発生を効果的に抑止することができ、欠陥やクラックの無い厚膜で高品質な半導体結晶を得ることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体の結晶成長に用いる基板とその基板の上に結晶成長させた半導体結晶とを分離することにより、独立した半導体結晶を得るための半導体結晶の製造方法であって、
前記半導体結晶を前記基板の上に結晶成長させる結晶成長工程と、
前記基板と前記半導体結晶との界面近傍に光を照射することにより、前記基板と前記半導体結晶とを分離する結晶分離工程と
を有し、
前記結晶分離工程において、
前記結晶成長工程における前記半導体結晶の結晶成長温度と略同温又はその周辺温度に前記基板の温度を保持して、
前記半導体結晶か或いは前記基板の何れか一方の、相対的にバンドギャップの大きな層側から、
前記半導体結晶のバンドギャップと前記基板のバンドギャップとの間のバンドギャップに対応する波長の光を照射する
ことを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B33/00
, C30B25/02
, C30B29/38
C30B33/00
, C30B25/02 Z
, C30B29/38 D
4G077AA03
, 4G077BE11
, 4G077DB01
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077EF02
, 4G077FH08
, 4G077FJ03
, 4G077TB03
, 4G077TB05
, 4G077TC13
, 4G077TC17
, 4G077TK01
, 4G077TK11
