特許
J-GLOBAL ID：200903084549706058

半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子

発明者：
永井 誠二

永井 誠二 について

, 
冨田 一義

冨田 一義 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について

, 
株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-036604
公開番号（公開出願番号）：特開2002-241192
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月28日
要約：
【要約】【課題】 転位の少ない高品質の半導体結晶を得る。【解決手段】 多数の突起部を有する下地基板上に III族窒化物系化合物より成る基板層(所望の半導体結晶)を成長させた場合、突起部の大きさや配置間隔や結晶成長諸条件等によっては、各突起部間に半導体結晶が積層されていない空洞が形成される。このため、突起部の高さに比して基板層の厚さを十分に大きくすれば、内部応力または外部応力がこの突起部に集中的に作用し易くなる。その結果、特にこれらの応力は、突起部に対する剪断応力等として作用し、この応力が大きくなった時に、突起部が破断する。従って、この応力を利用すれば、容易に下地基板と基板層とを分離することが可能となり、下地基板から独立した半導体結晶を得ることができる。空洞が大きく形成される程、突起部に上記の応力が集中し易くなり、下地基板と基板層とをより確実に分離することができる。
請求項（抜粋）：
横方向結晶成長作用を利用して、下地基板上に III族窒化物系化合物半導体から成る基板層を形成することにより、前記下地基板から独立した半導体結晶を得る方法であって、前記下地基板上に多数の突起部を形成する突起部形成工程と、前記突起部の表面の少なくとも一部を前記基板層が結晶成長を開始する最初の成長面として、この成長面が各々互いに連結されて少なくとも一連の略平面に成長するまで、前記基板層を結晶成長させる結晶成長工程と、前記突起部を破断することにより、前記基板層と前記下地基板とを分離する分離工程とを有することを特徴とする半導体結晶の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 25/18 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4件)：
C30B 25/18 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (47件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE02 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4G077TK11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA67 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB02 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA09 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045EE12 ,  5F045HA01 ,  5F045HA02 ,  5F045HA08 ,  5F045HA09 ,  5F045HA11 ,  5F045HA12
引用特許：
審査官引用 (2件)

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