特許

J-GLOBAL ID：200903076062100054

GaNP単結晶成長方法

発明者： 吉田 清輝
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171699
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 成長用基板に適する高品質なGaNP単結晶を成長させることができるGaNP結晶成長方法を提供する。【解決手段】 液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料11を坩堝2に入れ、N原料13およびP原料14をそれぞれのリザーバ4a、4bに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料11を1700°C以上に加熱し、前記坩堝2を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料13およびP原料14をGa原料11中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶15を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶15を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料を坩堝に入れ、N原料およびP原料をそれぞれのリザーバに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料を1700°C以上に加熱し、前記坩堝を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料およびP原料をGa原料中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させることを特徴とするGaNP単結晶成長方法。

IPC (3件)：

C30B 29/40 501 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/40 501 A ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-185890
  
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-025587   出願人：昭和電工株式会社
• 化合物半導体単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-277340   出願人：古河電気工業株式会社
• 特開平3-252395