特許
J-GLOBAL ID：200903076062100054
GaNP単結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171699
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：
【要約】【課題】 成長用基板に適する高品質なGaNP単結晶を成長させることができるGaNP結晶成長方法を提供する。【解決手段】 液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料11を坩堝2に入れ、N原料13およびP原料14をそれぞれのリザーバ4a、4bに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料11を1700°C以上に加熱し、前記坩堝2を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料13およびP原料14をGa原料11中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶15を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶15を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させる。
請求項（抜粋）：
液体封止引き上げ法によるGaNP単結晶成長方法であって、Ga原料を坩堝に入れ、N原料およびP原料をそれぞれのリザーバに入れ、150気圧以上のN2 ガス雰囲気中で、Ga原料を1700°C以上に加熱し、前記坩堝を10〜25rpmの回転速度で回転させながら、圧力を制御しながらN原料およびP原料をGa原料中に溶け込ませて、所望の組成を有するGaNP融液を合成し、次いで、単結晶の種結晶を前記GaNP融液に浸した後、GaNP融液から種結晶を引き上げることにより、GaNP単結晶を成長させることを特徴とするGaNP単結晶成長方法。
IPC (3件)：
C30B 29/40 501
, C30B 27/02
, H01L 21/208
C30B 29/40 501 A
, C30B 27/02
, H01L 21/208 P
