発光ダイオード

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢口平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025587
公開番号（公開出願番号）：特開平8-222764
出願日： 1995年02月14日
公開日（公表日）： 1996年08月30日
要約：

【要約】【目的】発光強度が大きく信頼性の高い窒素を含む III-V族化合物半導体からなるLEDを提供する。【構成】 NとN以外の元素周期律第V族元素を2以上含んでなる III-V族化合物層を発光層として備える積層構造よりLEDを構成する。特に、Nに加え第V族元素としてPとAsをと含む III-V族窒化物半導体層を発光層として備えた積層構造よりLEDを構成する。【効果】発光強度の増大とLED動上の信頼性をもたらされる。

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた少なくとも1種の元素周期律表の第 III族元素と窒素(元素記号:N)とN以外の複数の第V族元素からなる III-V族化合物半導体層を発光層として備えた積層構造からなる発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-192585
特開平4-236477
特開平2-288371

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