特許

J-GLOBAL ID：200903076062491215

強い位相シフトマスクを製造する方法

発明者： 林 金隆 ,  辜 耀進
出願人/特許権者： 聯華電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101821
公開番号（公開出願番号）：特開2000-305245
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 製造コストとサイクル時間とを低減させかつ強度上の不均衡を改善する強いPSMを製造する方法を提供する。【解決手段】 位相シフト層がマスク基板上に形成され、かつ、第1および第2開口部が、前記マスク基板の一部を露光させるためにパターン化により前記位相シフト層内に形成されている。その後に、前記マスク基板は、前記第2開口部に対して90度の位相ずれを有する第1の深さまで、前記第1開口部に沿ってエッチングされる。前記マスク基板は、前記第2開口部に対して180度の位相ずれを有する第2の深さまで、前記第1開口部に沿って再度エッチングされる。次に、前記第1および第2開口部の第3および第4の深さを、180度の位相ずれを有してそれぞれ同時に得るために、エッチング段階が前記第1および第2開口部に沿って行われる。

請求項（抜粋）：

強い位相シフトマスクを製造する方法において、上面に形成された位相シフト層を有するマスク基板を供給する段階と、前記位相シフト層内に第1および第2開口部を形成する段階と、前記マスク基板内において前記第1開口部を貫通して、前記第2開口部に対して90度の位相ずれを有する第1の深さを形成する段階と、前記マスク基板内において前記第1開口部を貫通して、前記第2開口部に対して180度の位相ずれを有する第2の深さを形成する段階と、前記マスク基板内に、前記第1および第2開口部を貫通して、第3および第4の深さをそれぞれ形成し、これにより、前記第3の深さが前記第4の深さに対して180度の位相ずれを有する段階とを具備することを特徴とする方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

Fターム (17件)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB14 ,  2H095BC01 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  2H096AA24 ,  2H096CA05 ,  2H096EA12 ,  2H096GA00 ,  2H096HA17 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA01 ,  5F046AA13 ,  5F046BA08 ,  5F046CB17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 欠陥のないプリントレチクルおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-153464   出願人：アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド