特許

J-GLOBAL ID：200903076092025685

酸化物薄膜太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  佐藤 ▲琢▼也 ,  島川 伸一 ,  林 茂生
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154448
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332373
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】 ダイオードの漏れ電流を抑制できる酸化物薄膜太陽電池を提供する。 【解決手段】 透明電極(12)とp型酸化物半導体層(14)とを含む酸化物薄膜太陽電池(10)であって、透明電極(12)とp型酸化物半導体層(14)との間に介在するn型高抵抗層(13)を含むことを特徴とする酸化物薄膜太陽電池(10)とする。これにより、トンネル電流による電子と正孔との再結合を防止することができるため、ダイオードの漏れ電流を抑制できる。よって、本発明の酸化物薄膜太陽電池によれば、例えば開放電圧を向上させることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

透明電極とp型酸化物半導体層とを含む酸化物薄膜太陽電池であって、 前記透明電極と前記p型酸化物半導体層との間に介在するn型高抵抗層を含むことを特徴とする酸化物薄膜太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (4件)：

5F051AA07 ,  5F051CB15 ,  5F051DA20 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 酸化銅膜の堆積法及び該膜からなるヘテロ接合の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-353800   出願人：キヤノン株式会社