特許

J-GLOBAL ID：200903076098599098

半透過型液晶表示装置及びその製造方法

発明者： 鄭 フン ,  洪 淳光
出願人/特許権者： エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド
代理人 (5件)： 曾我 道照 ,  曾我 道治 ,  古川 秀利 ,  鈴木 憲七 ,  梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-372366
公開番号（公開出願番号）：特開2005-196172
出願日： 2004年12月22日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

【課題】ハーフトーンマスクと回折露光を用いてマスク数を減らすことのできる半透過型液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される半透過型液晶表示装置において、基板上に形成された半導体パターンと、半導体パターンにゲート電極がオーバーラップするように基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、ゲート電極の両側の半導体パターンに形成されたソース/ドレイン領域と、ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、ゲートラインを含む基板の全面に形成された層間絶縁膜と、画素領域の層間絶縁膜上に形成された透過電極と、ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、透過領域に透過ホールを有するように透過電極を含む基板の全面に形成された絶縁膜と、ソース領域に電気的に連結されるデータライン及びソース電極と、ドレイン領域と透過電極に電気的に連結されるように反射領域に形成されるドレイン電極及び反射電極とを含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

各画素領域が反射領域と透過領域とに定義される半透過型液晶表示装置において、 基板上に形成された半導体パターンと、 前記半導体パターンにゲート電極がオーバーラップするように前記基板上に形成されたゲートライン及びゲート電極と、 前記ゲート電極の両側の前記半導体パターンに形成されたソース/ドレイン領域と、 前記ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、前記ゲートラインを含む基板の全面に形成された層間絶縁膜と、 前記画素領域の前記層間絶縁膜上に形成された透過電極と、 前記ソース/ドレイン領域にコンタクトホールを有し、前記透過領域に透過ホールを有するように前記透過電極を含む基板の全面に形成された絶縁膜と、 前記ソース領域に電気的に連結されるデータライン及びソース電極と、 前記ドレイン領域と前記透過電極に電気的に連結されるように前記反射領域に形成されるドレイン電極及び反射電極と を含むことを特徴とする半透過型液晶表示装置。

IPC (8件)：

G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (7件)：

G02F1/1335 520 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612D

Fターム (58件)：

2H091FA15Y ,  2H091FA16Y ,  2H091FC01 ,  2H091FC10 ,  2H091FC23 ,  2H091FC26 ,  2H091GA02 ,  2H091GA11 ,  2H091GA13 ,  2H091LA12 ,  2H092GA12 ,  2H092GA29 ,  2H092HA03 ,  2H092HA05 ,  2H092JA24 ,  2H092JA27 ,  2H092JA46 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094CA24 ,  5C094DA13 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094GB10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL11 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-351757   出願人：株式会社日立製作所
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-116384   出願人：株式会社東芝
• 液晶表示装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-169338   出願人：シャープ株式会社
• 半透過型型液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-237887   出願人：日本電気株式会社
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-048074   出願人：株式会社アドバンスト・ディスプレイ