特許
J-GLOBAL ID：200903076106754731
半導体集積回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043407
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273349
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 pチャネル型(p-ch)およびnチャネル型(n-ch)の薄膜トランジスタ(TFT)を有する相補型の回路において、p-chTFTとn-chTFTのしきい値電圧の絶対値を概略等しくさせる方法を提供する。【構成】 p-chTFTのチャネル長もしくはゲイト電極の幅をn-chTFTのものに比較して20%以上短くすることによって、好ましくは、前者を後者の25〜80%とすることによって、p-chTFTのしきい値電圧の絶対値を低下せしめ、よって、p-chTFTのしきい値電圧をn-chTFTのものと概略等しくさせる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成されたNチャネル型およびPチャネル型の薄膜トランジスタを有する集積回路において、該Pチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極の幅が、該Nチャネル型薄膜トランジスタのゲイト電極の幅よりも、少なくとも20%小さいことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
H01L 29/78 311 C
, H01L 27/08 321 C
, H01L 27/08 321 D
