特許

J-GLOBAL ID：200903076114591493

絶縁膜の形成方法

発明者： 室山 雅和
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-233679
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082703
出願日： 1995年09月12日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 埋め込み特性と膜質との両方に優れた絶縁膜を形成する。【解決手段】 基板11の表面側にトレンチ14が形成されたウエハ10を用意する。モノシランに対する酸素の流量を1:1.2程度に保ち、基板11に高周波を印加したプラズマCVD法によって、トレンチ14内を埋め込む状態で基板11上に酸化シリコンからなる絶縁膜16を成膜する。絶縁膜16を水蒸気雰囲気中で熱処理し、絶縁膜16においてシリコンに結合している水素を酸素で置換する。これによって、水素の含有量が少なくかつ埋め込み特性に優れた酸化シリコンからなる絶縁膜17を形成する。

請求項（抜粋）：

水素を含有する反応ガスを用いて、基板上に絶縁膜を成膜する工程と、前記絶縁膜を酸化性雰囲気中で熱処理する工程とを備えたことを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/76 L

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開昭59-106133
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077698   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-263437
  

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077698   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭59-106133
  
• 特開昭60-263437