特許

J-GLOBAL ID：200903076119059188

サーマルシャットダウン回路を備えた半導体装置

発明者： 橋上 裕幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-197671
公開番号（公開出願番号）：特開2005-038921
出願日： 2003年07月16日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：

【課題】サーマルシャットダウン回路を備えた半導体装置において、少なくとも動作保証温度領域での消費電流の低減を図る。【解決手段】サーマルシャットダウン回路1に電源を供給するための電源配線11にスイッチ用NchMOSトランジスタ17が設けられている。トランジスタ17のゲート電極はGND配線15に接続されている。トランジスタ17のしきい値電圧は、半導体装置の動作保証温度領域ではチャネル電流を流さず、かつ、所定の高温度領域ではサーマルシャットダウン回路1を動作させることができるリーク電流を発生させる値に設定されている【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

温度を検出し、所定の温度領域以上で装置機能を停止させるサーマルシャットダウン回路を備えた半導体装置において、 前記サーマルシャットダウン回路に電源を供給するための配線にスイッチ用MOSトランジスタを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/822 ,  H01L27/04

FI (1件)：

H01L27/04 H

Fターム (11件)：

5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038AZ08 ,  5F038BB04 ,  5F038BB05 ,  5F038BB08 ,  5F038BH16 ,  5F038CD16 ,  5F038DF01 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-039390   出願人：東光株式会社
• 特開昭54-132753