特許

J-GLOBAL ID：200903084300275286

半導体装置

発明者： 中村 秀一 ,  谷川 寛
出願人/特許権者： 東光株式会社
代理人 (1件)： 大田 優
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-039390
公開番号（公開出願番号）：特開2002-244745
出願日： 2001年02月16日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 回路素子の数を少なくすることができ、特にCMOSプロセスで製造するのに適した構成の半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基準電圧源回路5aの内部に2つのダイオード機能素子としてのトランジスタQ4、Q5を設け、トランジスタQ4、Q5の各ベース、エミッタ間電圧VBE4、VBE5を利用して、安定度の高い基準電圧信号Vrefを得る。この基準電圧信号Vrefは出力回路3に供給する。過熱保護回路5aには、この基準電圧信号Vrefに準じた安定度の高い分圧基準電圧信号Vdrを供給すると同時に、トランジスタQ5のベース、エミッタ間電圧VBE5より得られる、所定の温度特性を有する電圧信号VJを供給する。

請求項（抜粋）：

差動アンプと、該差動アンプの各入力端子にそれぞれ接続された2つのダイオード機能素子とを有し、基準電圧信号が該差動アンプの出力端子より得られ、所定の温度特性を有する電圧信号が該ダイオード機能素子より得られる基準電圧源回路と、該基準電圧源回路から該基準電圧信号の供給を受ける、制御機能を有する被保護回路と、該基準電圧源回路から該基準電圧信号と該所定の温度特性を有する電圧信号の供給を受け、その2つの電圧信号の相対的な大きさに応じて該被保護回路の動作を停止させる過熱保護回路と、を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

G05F 1/56 320 ,  G05F 1/56 310 ,  H02H 7/20

FI (3件)：

G05F 1/56 320 H ,  G05F 1/56 310 E ,  H02H 7/20 B

Fターム (18件)：

5G053AA14 ,  5G053BA04 ,  5G053CA02 ,  5G053EB04 ,  5G053EC03 ,  5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430EE06 ,  5H430FF02 ,  5H430FF13 ,  5H430GG03 ,  5H430GG04 ,  5H430HH03 ,  5H430LA10 ,  5H430LA15 ,  5H430LA21 ,  5H430LA26 ,  5H430LB02

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平4-184606
  
• 基準電圧源回路及び電圧フィードバック回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-036568   出願人：松下電器産業株式会社
• 定電圧回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-154145   出願人：新日本無線株式会社
• 基準電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308213   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-214664
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-157243   出願人：東光株式会社
• 安定化電源回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286481   出願人：シャープ株式会社