特許
J-GLOBAL ID：200903076133523881
半導体装置の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-106368
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299314
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板周辺の清浄度を容易にクラス0.01にすることができ、操作者が出すNaによる基板の汚染がなく、かつ基板に自然酸化膜が発生しない半導体装置の製造法及びその装置を提供する。【構成】 半導体プロセス(処置)室203には隔壁202に接して半導体処置装置205を設置する。隔壁には半導体基板216の搬送用の基板出入口206があり、気密扉207を通して半導体処理装置に連結する。半導体基板搬送室204では0.01級の清浄気体を送っており、ヘリウムなどの不活性ガスまたは窒素の供給源212と真空排気装置215も接続する。基板搬送室には基板搬送装置217がある。気密扉に面して基板直交搬送装置218があって基板を半導体処置装置へ運び、また逆に処置装置から搬送装置へ移替え、基板は次の半導体処置装置へ搬送され、デバイスへと完成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の搬送をする室と半導体プロセス装置を置く室とを隔壁によって完全に仕切り、半導体基板の搬送を半導体プロセス装置を置く室とは別室で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法及びその装置。
IPC (2件)：
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