特許

J-GLOBAL ID：200903076174978729

磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置

発明者： 田中 雅明
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190688
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021671
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 強い非平衡成長条件を有する結晶成長法と成長後の熱処理を組み合わせることにより、磁性体微粒子/半導体複合材料を形成し、この複合材料を半導体基板上に積層することにより、半導体光デバイスと集積化が可能な磁気光学効果を用いた磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に半導体層2を介して、磁性混晶半導体3をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子/半導体複合材料4を形成する。このプロセスを繰り返すことにより、磁性体微粒子/半導体複合構造を含む多層のヘテロ構造を形成することもできる。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板上に半導体層を介して、磁性混晶半導体をエピタキシャル成長させる工程と、(b)前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子/半導体複合材料を形成する工程とを施すことを特徴とする磁気光学装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01F 41/28 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

H01F 41/28 ,  H01L 21/203 M

Fターム (17件)：

5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA22 ,  5E049MC03 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD11 ,  5F103DD16 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL01 ,  5F103LL20 ,  5F103PP03 ,  5F103RR10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体磁気光学材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-005628   出願人：工業技術院長, 秋永広幸, 株式会社トーキン
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-011034   出願人：株式会社東芝