特許

J-GLOBAL ID：200903020186268632

磁気抵抗効果素子

発明者： 猪俣 浩一郎 ,  柚須 圭一郎 ,  ロジャー・ハイモア ,  奥野 志保 ,  斉藤 好昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011034
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264858
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】ヒステリシス及び飽和磁界がともに小さく、磁気抵抗変化率の大きい磁気抵抗効果素子を提供する。【構成】半導体マトリックス1中にFe,CoおよびNiからなる磁性元素のうち少なくとも1種を含む磁性金属粒子2が分散した構造を有する磁性体3により磁気抵抗効果素子を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体マトリックス中に、Fe,CoおよびNiからなる磁性元素のうち少なくとも1種を含む磁性金属粒子が分散した磁性体を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/10

FI (3件)：

H01L 43/08 S ,  H01F 10/28 ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗トランスデューサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-152321   出願人：トムソン-セーエスエフ
• 特開昭64-028957
  
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-036912   出願人：株式会社東芝