特許

J-GLOBAL ID：200903076194124572

ニッケル系BM膜、及びBM膜製造方法

発明者： 石橋 暁 ,  清田 淳也 ,  杉浦 功 ,  新井 真 ,  中村 肇 ,  堀 隆英 ,  林 志銘 ,  太田 賀文
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352310
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】低公害でパーティクル発生の少ないBM膜を提供する。【解決手段】ニッケルを主成分とし、他の金属が添加されて非磁性化されたターゲットを用い、ニッケル酸化物薄膜又はニッケル窒化物薄膜から成る透光層54、74と、ニッケル薄膜から成る金属反射層55、75とで積層構造のBM膜51、71を形成する。スパッタリング雰囲気中の酸素ガスの導入量や窒素ガスの導入量を適切に選ぶことにより、低反射の黒色BM膜を得ることができる。クロム系BM膜に比べ、応力が小さいのでパーティクル発生がなく、また、エッチングの際にも公害問題が生じない。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成された透光層と、前記透光層上に形成された金属反射層とを有するBM膜であって、前記金属反射層は、ニッケルを主成分とすることを特徴とするBM膜。

IPC (4件)：

G02B 5/00 ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1335 500 ,  C23C 14/06

FI (4件)：

G02B 5/00 B ,  G02B 5/20 101 ,  G02F 1/1335 500 ,  C23C 14/06 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 低反射薄膜基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-046481   出願人：株式会社倉元製作所
• 低反射薄膜基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-095708   出願人：株式会社倉元製作所