特許

J-GLOBAL ID：200903076222175919

減衰移相マスクおよび製造方法

発明者： スティーヴン・ダニエル・フランダース ,  デーヴィッド・ショーン・オグラディー
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-024295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-253654
出願日： 1995年02月13日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：

【要約】【目的】 マスクのプリンティング領域で位相欠陥が発生しないリセス減衰移相領域を有する減衰移相半導体製造マスク。【構成】 移相が望まれるマスク基板10の領域にリセス15を形成し、付着した材料19がリセスの深さとあいまって、マスクの隣接する透過性領域を透過する光から光を約180°(Πラジアン)ずらし、破壊干渉によって、投影されるマスク・イメージのエッジで鮮明な輪郭を作成するような、選択された厚さの減衰材料でこのようなリセスを充填する。

請求項（抜粋）：

半導体マスクにおいて、選択された範囲の光に対して高い光透過率を有する基板と、前記基板にある選択された深さの複数のリセスとを備え、前記リセスには、前記選択された領域の光を減衰するような厚さおよび光透過値の材料が付着されており、前記リセスは、前記リセスおよび前記付着された材料を透過する前記選択された範囲の光の位相が、前記リセスに隣接して位置する前記基板の部分を透過する前記選択された範囲の光の位相に対して160°ないし200°位相はずれになるような深さを有することを特徴とする半導体マスク。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 位相シフトマスク及び位相シフトマスクを用いた露光方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-034875   出願人：ソニー株式会社