特許
J-GLOBAL ID：200903076226136926
青色半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-187525
公開番号（公開出願番号）：特開2000-022269
出願日： 1998年07月02日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：
【要約】【課題】 高出力動作においても信頼性の高いGaN系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 発光ストライプ領域4を有するGaN系半導体レーザにおいて、共振器端面に、高い常温標準生成エンタルピーΔH<SB>0</SB>を有する酸化物又はフッ化物からなる誘電体膜1、2を形成し、さらに前面にAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>、Si<SB>3</SB>N<SB>4</SB>又はSiO<SB>2</SB>からなるカバー誘電体膜5を、裏面には高屈折率層と低屈折率層からなる誘電体多層膜3を形成する。前記誘電体膜1、2の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(酸化物)又はM<SB>n</SB>F<SB>m</SB>(フッ化物)とし、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした場合、酸化物の場合ではΔH<SB>0</SB>/m<-456kJ/molを満たし、フッ化物の場合ではΔH<SB>0</SB>/m<-434kJ/molを満たすようにする。
請求項（抜粋）：
共振器端面の少なくとも一方に、酸化物誘電体の保護膜が形成されたGaN系半導体レーザ素子において、前記酸化物誘電体の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>としたとき、ΔH<SB>0</SB>/m<-456kJ/molを満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。
Fターム (9件)：
5F073AA74
, 5F073AA77
, 5F073AA83
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB05
, 5F073CB19
, 5F073CB20
, 5F073EA28
