高出力半導体レーザ素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-254616
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107362
出願日： 1996年09月26日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】端面劣化のない高信頼な0.6〜1.0μm帯高出力半導体レーザを作成する。【解決手段】発光ストライプ領域4を有する半導体レーザにおいて、共振器端面に酸化物又はフッ化物の高ΔH<SB>0</SB>誘電体膜1,2を形成し、さらに前面にAl<SB>2</SB>O<SB>3</SB>,SiO<SB>2</SB>又はSi<SB>3</SB>N<SB>4</SB>のカバー誘電体膜5を、裏面には高屈折率層と低屈折率層から成る誘電体多層膜3を形成する。前記誘電体膜1,2の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(酸化物)又は M<SB>n</SB>F<SB>m'</SB>(フッ化物)とし、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした場合、酸化物ではΔH<SB>0</SB>/m<-558 kJ/molを、フッ化物ではΔH<SB>0</SB>/m'<-485 kJ/molを満たすことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

共振器端面の少なくとも一方に、酸化物誘電体からなる保護膜を形成する半導体レーザであって、前記酸化物誘電体の化学式をM<SB>n</SB>O<SB>m</SB>(Mは金属原子、nは金属原子数、mは酸素原子数を表す)、常温での標準生成エンタルピーをΔH<SB>0</SB>とした時、ΔH<SB>0</SB>/m<-558 kJ/molを満たすことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-299591
半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-299295 出願人：キヤノン株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-268719 出願人：松下電子工業株式会社

全件表示

前のページに戻る