特許

J-GLOBAL ID：200903076228101224

融液面初期位置調整装置および融液面初期位置調整方法

発明者： 浦野 雅彦 ,  尾崎 篤志 ,  掛川 知弘 ,  中野 秀樹
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342505
公開番号（公開出願番号）：特開平9-235182
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 オペレータによらず自動的に融液面初期位置を調整し得る装置および方法を提供する。【解決手段】 種子結晶26の吊り材としてワイヤ32を用いCZ法によりシリコン等の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、種子結晶の基準位置を検出し、基準位置からW-Xだけ上方の位置までワイヤ32を下方に巻出した後に前記基準位置より上方へ巻上げ、単結晶の重量の有無によるワイヤ32の伸びを補正し、ワイヤ32を融液16上に10分間放置することにより熱によるワイヤ伸びを一定とさせる等の操作を自動的に行わせる。

請求項（抜粋）：

結晶材料を収容し加熱して融解させる加熱容器と、前記加熱容器内の前記結晶材料の融液上において昇降可能に構成されたワイヤと、前記ワイヤに取り付けられる種子結晶を有し、引上げ法により前記結晶材料の単結晶を育成する単結晶引上げ装置において、前記種子結晶の基準位置を検出し、前記基準位置から第1の所定値だけ離れた位置まで前記ワイヤを下方に巻出した後に前記基準位置より上方へ巻上げ、前記単結晶の重量の有無による前記ワイヤの伸びを補正することを特徴とする融液面初期位置調整装置。

IPC (3件)：

C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/26 ,  C30B 29/06 502 F ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭64-024089
  
• 特開昭64-083595
  
• 液面制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-099329   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社