半導体マッハツェンダー変調装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-281044
公開番号（公開出願番号）：特開平8-146365
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】低電圧で動作しかつ低挿入損失の光通信用や光情報処理用の半導体マッハツェンダー変調装置を得る。【構成】位相変調器部113とその他の受動領域(入射光導波路部111、分岐部112、合波部114、出力光導波路部115)とを形成する場合、半導体基板101上にバッファ層102、導波層103、クラツド層104を順次選択成長して生成するが、このときの選択成長用マスクとしてある空隙を有する対向した一対のマスクを用い、一対のこのマスクの空隙部分に、位相変調器部113形成し、残余部分にその他の受動領域を形成する。この一対のマスクの幅や空隙の調整により、最適のバンドギャップ波長及び層厚が得られ、低電圧、低挿入損失の装置が歩留り良く形成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面上に半導体バッファ層と半導体導波層と半導体クラッド層とが順次積層された層構造を有し、入射光を導波するための入射光導波路と、この導波路の導波光を2つに分配する分岐部と、この分岐部により分岐された2つの導波路に夫々接続された位相変調器部と、これ等2つの位相変調器部の出力を合流するための合流部と、この合流部による合波光を導出する出力光導波路とを含む半導体マッハツェンダー変調装置であって、前記入射光導波路部、分岐部、合流部及び出力光導波路の各半導体導波層の吸収端波長が前記位相変調器部の導波層のそれよりも短波長とされていることを特徴とする半導体マッハツェンダー変調装置。

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-051672 出願人：株式会社日立製作所

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