特許
J-GLOBAL ID：200903076267169367
一括消去型不揮発性メモリ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-050247
公開番号（公開出願番号）：特開平6-274409
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】一括消去型不揮発性メモリを用いる半導体ディスク装置の、電源断等の障害に対する耐性を高めること。【構成】一括消去型不揮発性メモリは、複数個のセクタを含み、各セクタに自身の属性を識別するための属性情報が書き込まれる。クラスタ情報セクタは原則としてその属するクラスタの先頭に置かれる。また、データ・セクタはクラスタの先頭以外の領域であるデータ・エリアに置かれる。メモリに接続されたコントローラは、クラスタ消去時にはデータ・エリアにクラスタ情報コピー・セクタを作成し、クラスタ初期化時にはクラスタ情報コピー・セクタからクラスタ管理情報を再構成し、クラスタ情報セクタを作成する。
請求項（抜粋）：
複数個のセクタを含み、各セクタに自身の属性を識別するための属性情報が書き込まれることを特徴とする一括消去型不揮発性メモリ。
IPC (3件)：
G06F 12/00 599
, G06F 12/16 340
, G11C 16/06
