特許

J-GLOBAL ID：200903076269725615

加熱処理方法及び加熱処理装置

発明者： 緒方 久仁恵
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-329937
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196302
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】【課題】 基板の塗布膜のパターン露光後に行われる加熱処理において,加熱処理により成長する基板表面の膜厚の段差を測定し,その測定値に基づき即座に加熱温度を調節して,パターンの線幅のばらつきを事前に防止する。【解決手段】 ポストエクスポージャーベーキング装置44内に,ウェハW表面のレジスト膜の膜厚の段差を測定するためのセンサ部64を移動自在に設け,ウェハWの加熱処理中に前記段差を測定する。予め求められている前記段差と一連の基板処理後の最終線幅との相関関係から,前記段差が所定の範囲内に納まるように,熱板61に内蔵されているヒータ62の設定温度を調節する。

請求項（抜粋）：

塗布膜を有する基板を露光処理した後,当該基板を加熱処理する加熱処理方法において,前記基板の加熱処理中に少なくとも1回,前記基板表面の塗布膜の膜厚の段差を測定する工程を有することを特徴とする,加熱処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G01B 21/08 ,  G03F 7/26 501 ,  G03F 7/38 511

FI (4件)：

G01B 21/08 ,  G03F 7/26 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 567

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-180849
  
• 特開平2-090008
  
• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-004222   出願人：東京エレクトロン株式会社