特許

J-GLOBAL ID：200903076269726360

面発光素子

発明者： 沼居 貴陽
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110821
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326409
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 偏波方向が1つの方向に規定された面発光素子を実現する。【構成】 n形GaAs基板10上にn形GaAs/AlAs多層反射膜20、n形GaAs層11、In0 . 2 Ga0 . 8 As活性層12、P形GaAsクラッド層13、P形GaAs/AlAs多層反射膜21を順次成長した後、P形GaAs/AlAs多層膜21、P形GaAsクラッド層13、In0 . 2 Ga0. 8 活性層12、n形GaAs層11、n形GaAs/AlAs多層反射膜20の1部を素子上部から見たときに正方形となるようにエッチングする。絶縁膜22を選択的に形成した後、素子上部に半導体層と熱膨張率の異なる膜として金23を選択的に形成する。P形GaAsクラッド層12とP形GaAs/AlAs多層反射膜21を覆うようにアノード電極31が形成され、またn形GaAs/AlAs多層反射膜20上にカソード電極30が形成される。

請求項（抜粋）：

面発光半導体素子において、活性層の上方に、前記活性層と熱膨張係数の異なる層または前記活性層と格子定数の異なる半導体層が選択的に形成されていることを特徴とする面発光素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 面発光型半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180393   出願人：三洋電機株式会社
• 特開平2-065284