特許

J-GLOBAL ID：200903076272995070

電解研磨方法

発明者： 松井 嘉孝 ,  小助川 広志 ,  小寺 雅子 ,  宮下 直人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307608
公開番号（公開出願番号）：特開2003-113500
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】より一層優れた電解研磨方法を提供する。【解決手段】電解液中でアノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法において、アノード電極が、ポテンシオスタットによる電気化学測定で0.1M過塩素酸溶液中+2.5V(対銀/塩化銀電極)の電圧を印加したときの電流密度が10mA/cm2 以下である電極材料で形成されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

電解液中でアノード電極と対極との間に電圧を印加し、被電解研磨材料の表面に該アノード電極を接触させながら被電解研磨材料を電解研磨する方法において、該アノード電極が、ポテンシオスタットによる電気化学測定で0.1M過塩素酸溶液中+2.5V(対銀/塩化銀電極)の電圧を印加したときの電流密度が10mA/cm2 以下である電極材料で形成されたことを特徴とする電解研磨方法。

IPC (5件)：

C25F 7/00 ,  B23H 3/06 ,  B23H 5/08 ,  C25F 3/16 ,  C25F 3/30

FI (5件)：

C25F 7/00 S ,  B23H 3/06 ,  B23H 5/08 ,  C25F 3/16 A ,  C25F 3/30

Fターム (5件)：

3C059AA02 ,  3C059AB01 ,  3C059DB00 ,  3C059DC06 ,  3C059GC01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-240779
  
• 半導体装置の製造方法、研磨装置および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-253605   出願人：ソニー株式会社
• 金属メッキ中に半導体被加工物の表面に対する電気接点を形成する装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-569443   出願人：エヌユートゥールインコーポレイテッド