特許
J-GLOBAL ID：200903076283166696

基板の電極形成方法及び基板

発明者：
八木 能彦

八木 能彦 について

, 
大谷 博之

大谷 博之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-028071
公開番号（公開出願番号）：特開2002-232116
出願日： 2001年02月05日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：
【要約】【課題】 エッチングにて形成し、かつ電子部品の電極との接合に必要な面積が確保できる基板の電極形成方法及び基板を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上の導体被膜9の内、複数の電極2aを夫々形成する電極形成予定部10と、上記複数の電極形成予定部10の内の各隣接する電極形成予定部10の間の間隙を流動するエッチング液の流速が許容値を超えると予測される間隙内にダミーランド3、4、5、6を形成するダミーランド形成予定部11とを電極保護レジスト層13で覆い、エッチング時に各隣接する2つの電極形成予定部10の間の間隙及び上記電極形成予定部10と上記ダミーランド形成予定部11との間を流動するエッチング液の流速を許容値以内の状態にする。
請求項（抜粋）：
基板(1)の導体被膜(9)のうち複数の電極(2a)をそれぞれ形成する電極形成予定部(10)を電極保護レジスト層(13)で覆い、上記導体被膜のうち上記電極保護レジスト層で覆われていない露出部をエッチング液によりエッチングして除去することにより上記各電極形成予定部を上記各電極として形成する基板の電極形成方法において、上記電極保護レジスト層で上記電極形成予定部を覆うとき、上記複数の電極形成予定部のうちの各隣接する電極形成予定部の間の間隙を流れる上記エッチング液の流速が許容値を越えると予測される間隙内に流動規制体(3、4、5、6)を形成するように流動規制体形成予定部(11)を上記電極保護レジスト層により覆い、上記エッチングを行うとき、上記電極形成予定部を上記電極として形成すると同時的に、上記流動規制体形成予定部を上記流動規制体として形成することにより、上記複数の電極形成予定部のうちの各隣接する電極形成予定部の間の間隙及び上記電極形成予定部と上記流動規制体形成予定部との間の間隙をそれぞれ流れる上記エッチング液のそれぞれの流速が許容値以内である状態で上記エッチングを行うようにしたことを特徴とする基板の電極形成方法。
Fターム (4件)：
5E339BE11 ,  5E339CE01 ,  5E339EE01 ,  5E339EE03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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