特許

J-GLOBAL ID：200903076291076515

基板処理装置、基板処理方法、クリーニング方法

発明者： 神力 博 ,  荒見 淳一
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-147135
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222468
出願日： 2006年05月26日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】分子層の吸着および酸化を交互に繰り返す基板処理装置において、前記酸化処理をプラズマ励起されたラジカルにより行うことにより、基板処理のスループットを向上させることができる基板処理装置、およびかかる基板処理装置を使った基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、被処理基板を保持する基板保持台を備えた処理容器と、前記処理容器中において前記基板保持台の第1の側に形成された処理ガス導入口と、前記処理容器の、前記基板保持台に対して前記第1の側とは異なる第2の側に形成されたラジカル源と、前記処理容器中において前記第1の側に形成された第1の排気口と、前記処理容器中において前記第2の側に形成された第2の排気口と、前記第1の排気口に第1の可変コンダクタンスバルブを介して結合され、前記第2の排気口に第2の可変コンダクタンスバルブを介して結合された排気系とよりなる。【選択図】図19

請求項（抜粋）：

被処理基板を保持する基板保持台を備えた処理容器と、 前記処理容器中において前記基板保持台の第1の側に形成された処理ガス導入口と、 前記処理容器の、前記基板保持台に対して前記第1の側とは異なる第2の側に形成されたラジカル源と、 前記処理容器中において前記第1の側に形成された第1の排気口と、 前記処理容器中において前記第2の側に形成された第2の排気口と、 前記第1の排気口に第1の可変コンダクタンスバルブを介して結合され、前記第2の排気口に第2の可変コンダクタンスバルブを介して結合された排気系とよりなる基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L21/31 A ,  H01L21/316 C ,  H01L21/302 101H

Fターム (40件)：

5F004AA15 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA08 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB13 ,  5F004DB14 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AA16 ,  5F045AB31 ,  5F045BB08 ,  5F045CA05 ,  5F045EB06 ,  5F045EE04 ,  5F045EE11 ,  5F045EE14 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EH01 ,  5F045EM10 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF73 ,  5F058BF74 ,  5F058BJ04

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平2-74587号公報
  
• 原子層ディポジション用の垂直に積み重ねられたプロセス反応器およびクラスタツールシステム
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-507861   出願人：ジーナス・インコーポレイテッド
• 基板処理装置および処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-244730   出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社ケミトロニクス
• 米国特許第516365号公報
  

審査官引用 (2件)

• 基板処理装置、基板処理方法及び圧力制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067034   出願人：株式会社日立国際電気
• 成膜装置および成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-000183   出願人：東京エレクトロン株式会社